MOSFET-Arbeitspunkt im quadratischen Modell
Lösen Sie eine geerdete Quelle ideale Verbesserung NMOS mit einem Abflusswiderstand mit Cutoff-, Triode-oder Sättigungsgleichungen.
IHRE BERECHNUNG
Ergebnis
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Rechenschritte
Gehen Sie die Schritte einzeln durch oder zeigen Sie die gesamte Berechnung an. Die Schritte verwenden Ihre aktuellen Eingaben.
Berechnungsmethode
Testen Sie den Sättigungskandidaten gegen seinen Vds-Zustand, sonst klammern Sie den Triode Last-Linien-Kreuzung.
Saturation Id=k(Vgs−Vth)²/2; triode Id=k((Vgs−Vth)Vds−Vds²/2)
Rechenbeispiel
Mit Vgs≤Vth hat das ideale Modell Nullabflussstrom und Vds gleich Versorgung.
Annahmen und Hinweise zu den Eingaben
Langkanal-Quadratmodell ohne Kanal-Länge Modulation, Körper-Effekt, Leckage, Unterschwellenstrom oder thermische Effekte. Parameter k verwendet die explizite Halbkonvention. Keine Leistungs-/Rating- oder physikalische Geräteempfehlung.
Definitionen der Einheiten
Die Einheitenauswahl ist unabhängig von der Sprache. Jeder Selektor enthält nur Einheiten für seine physikalische Größe. Berechnungen verwenden definierte Basiseinheiten intern.
SI-Präfixe sind explizit: z.B. Milli bedeutet ein Tausendstel, Mikro ein Millionstel und Kilo tausend. Ändern einer Einheit ändert die Interpretation der eingegebenen Zahl.
Hinweise zum Rechner
Kann ich eigene Werte eingeben?
Ja. Ersetzen Sie die Beispielwerte durch Ihre eigenen Eingaben. Ergebnis, Rechenschritte, Tabellen und gegebenenfalls Diagramme werden entsprechend aktualisiert. Bei leeren oder ungültigen Eingaben wird das Ergebnis gelöscht. Fehlende Angaben werden niemals unbemerkt durch Beispielwerte ersetzt.
Sind die Ergebnisse exakt?
Die Ergebnisse beruhen auf Gleitkommaarithmetik und werden für die Anzeige gerundet. Beachten Sie die Formel, die Annahmen und die gegebenenfalls angegebene Datengenauigkeit.
Werden meine Eingaben hochgeladen?
Die Berechnung erfolgt in Ihrem Browser. Ein Benutzerkonto, Datei-Uploads oder ein externer KI-Dienst sind nicht erforderlich. Beim Neuladen der Seite werden die Eingaben zurückgesetzt.
Getrennte Gleichstrom-Leitung, Schalt-Überlappung und externe Gate-Antriebs-Leistungsbegriffe unter einem begrenzten ungefähren Modell.
Vergleichen Sie unbelastete und resistiv geladene Trennwandspannung, Astströme und Dissipation.
Lösen Sie eine Shockley-Diode und einen Serien-Resistor DC-Betriebspunkt von eingegebenen Modellparametern.
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