MOSFETの導通損失・スイッチング損失計算
適用範囲を限定した近似モデルで、定電流導通損失、スイッチング重なり損失、外部ゲート駆動電力を分けて求めます。
計算結果
結果
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計算手順
手順を1つずつ、またはまとめて表示できます。現在の入力値を使った計算手順です。
計算方法
理想的な項パワーを計算し、ドライバーの電荷需要をMOSFETの伝導とは別のものとし、重複散逸を繰り返す。
Pcond=I²R D; Poverlap≈VI(tr+tf)f/2; Pgate=QgVdrive f
計算例
48 V, 10 A, R=0.01 Ω,のデューティ50%, f=100 kHz, tr=tf=20 nsとQg=50 nCのデューティ10 Vの場合、伝導は0.5 W、重なりは0.96 W、ゲート駆動は0.05 Wである。
前提条件と入力上の注意
一定の電流で周期的なハードスイッチング。実際の関連するhot RDS(on),スイッチングのオーバーラップタイムとゲートチャージを入力する。この限定された近似では、総上昇/下降時間は20%以下でなければならない。ゲート駆動電力はMOSFET接合部に自動的に割り当てられることはない。出力は容量性エネルギー、逆回復、ボディダイオード、デッドタイム、熱フィードバックを除外し、接合温度、ヒートシンク選択、定格評価は提供されない。
参考資料： TI: 伝導と近似重なり損失項
単位の定義
ユニットの選択は言語に依存しない。各セレクターには、物理量の単位しか含まれていない。計算では、内部で定義されたベースユニットを使用する。
SI接頭語は明示的であり、たとえば、ミリは1000、マイクロは100、キロは1000を意味する。単位を入れ替えると、入力された数の解釈が変わる。
このツールの使い方
自分の値を入力できますか？
はい。入力例をご自身の値に変更してください。結果・計算手順・表・対応する図が入力に応じて更新されます。空欄や無効な値がある場合は結果を消去し、不足した入力を自動的に例の値で補うことはありません。
結果は厳密ですか？
浮動小数点演算を使用し、表示時に丸めています。計算式・前提条件・記載されたデータ精度を確認して結果を解釈してください。
入力内容は送信されますか？
計算はブラウザー内で行います。アカウント・ファイルのアップロード・外部AIサービスは不要です。ページを再読み込みすると入力値は保持されません。
理想的な降圧・昇圧・反転昇降圧回路のデューティ比とインダクタ電流リップルを求め、連続導通の成立条件を確認します。
同じ時間の入力エネルギーと有効出力を比較し、平均入出力、エネルギー損失、変換効率を求めます。
正弦波に必要な理想スルーレートを、支配極型オペアンプの利得帯域幅積と回路のノイズゲインによる条件と比較します。
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