MOSFETの二乗則バイアス計算
ドレイン抵抗を持つソース接地の理想的なエンハンスメント型NMOSについて、遮断・三極管・飽和領域の式から動作点を求めます。
計算結果
結果
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計算手順
手順を1つずつ、またはまとめて表示できます。現在の入力値を使った計算手順です。
計算方法
Vds条件に対して飽和候補をテストし、そうでなければ三極管の負荷線交差をブラケットする。
Saturation Id=k(Vgs−Vth)²/2; triode Id=k((Vgs−Vth)Vds−Vds²/2)
計算例
Vgs≤Vthでは理想モデルはドレイン電流がゼロであり、Vdsは供給量に等しい。
前提条件と入力上の注意
チャネル長変調、ボディエフェクト、リーケージ、サブスレッショルド電流または熱的影響のない長チャネル正方法モデル。パラメータ k は明示的な半順序規約を使用する。パワー/ライティング、物理的なデバイスの推奨はない。
単位の定義
ユニットの選択は言語に依存しない。各セレクターには、物理量の単位しか含まれていない。計算では、内部で定義されたベースユニットを使用する。
SI接頭語は明示的であり、たとえば、ミリは1000、マイクロは100、キロは1000を意味する。単位を入れ替えると、入力された数の解釈が変わる。
このツールの使い方
自分の値を入力できますか？
はい。入力例をご自身の値に変更してください。結果・計算手順・表・対応する図が入力に応じて更新されます。空欄や無効な値がある場合は結果を消去し、不足した入力を自動的に例の値で補うことはありません。
結果は厳密ですか？
浮動小数点演算を使用し、表示時に丸めています。計算式・前提条件・記載されたデータ精度を確認して結果を解釈してください。
入力内容は送信されますか？
計算はブラウザー内で行います。アカウント・ファイルのアップロード・外部AIサービスは不要です。ページを再読み込みすると入力値は保持されません。
適用範囲を限定した近似モデルで、定電流導通損失、スイッチング重なり損失、外部ゲート駆動電力を分けて求めます。
無負荷と抵抗負荷がある場合の分圧電圧、枝電流、損失電力を比較します。
順方向のショックレー・ダイオードと直列抵抗について、指定したモデル値から直流動作点を求めます。
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